IBM совместно с Siemens EDA готовит почву для 0,7-нм техпроцесса Nanostack (7 ангстрем) на основе архитектуры CFET. Предварительный комплект средств проектирования (PDK) компания обещает выпустить в первом квартале 2027 года, а запуск техпроцесса запланирован не позднее 2031 года.
Разворот транзисторного канала из вертикального положения (как в FinFET) в горизонтальное даёт важное преимущество. Кристаллическая решётка кремния анизотропна, и свойства структур зависят от выбранной кристаллографической ориентации подложки.
