Kioxia делает ставку на быстродействующую память NAND как на дополнение к DRAM, а не её замену. Компания представила модули расширения памяти XL1 с поддержкой CXL, созданные на базе технологии XL FLASH с низкой задержкой.
CXL позволяет накопителям теснее взаимодействовать с процессорами, добавляя объём памяти без необходимости перемещать все данные в DRAM. Сочетание быстрой NAND с контроллером CXL сокращает задержку чтения более чем в десять раз по сравнению с обычными NAND-решениями. XL1 занимает промежуточное положение между DRAM и SSD по производительности и стоимости.
Стратегия Kioxia включает выпуск SSD с интерфейсом PCIe 6.0 и внедрение CXL-расширений памяти, хотя компания не заявляет о полном вытеснении DRAM. Представлены SSD серии GP1 с PCIe 6.0 и NVMe, рассчитанные на высокую интенсивность операций ввода-вывода в ИИ-инфраструктуре и прямое подключение к GPU.
Частичная замена DRAM модулями CXL позволяет удвоить объём памяти и повысить производительность систем на 30%. Поскольку NAND медленнее DRAM, полный отказ от неё снизил бы эффективность чувствительных к задержкам приложений — поэтому Kioxia делает ставку на дополнение, а не замену.
Компания также показала корпоративные SSD CM10 на базе BiCS FLASH десятого поколения и накопители NX1 для ЦОД с жидкостным охлаждением, формфактором E1.S и интерфейсом PCIe 5.0. Эти решения предназначены для дата-центров, где важны производительность и тепловой режим.
Перенос части нагрузок на флеш-память должен смягчить дефицит DRAM и рост затрат, связанные с растущими потребностями ИИ-нагрузок в памяти.