Samsung Electronics расширяет разработку флеш-памяти NAND для систем искусственного интеллекта. Компания работает над тремя вариантами z-NAND, каждый из которых рассчитан на свой тип нагрузки: от локальной обработки данных на устройствах до работы в мощных дата-центрах.
По данным южнокорейского издания ZDNet, три типа памяти выглядят так:
zNAND-O — для локального ИИ. Анонсирована в августе.
zNAND-T — для дата-центров, ориентирована на пропускную способность. Официально не анонсирована.
zNAND-I — для ИИ-инференса, ориентирована на высокий IOPS. Официально не представлена.
zNAND-O минимизирует задержки при передаче данных между соседними компонентами системы. Вместо проволочных соединений с внешними контактами чипа используется технология сквозных кремниевых переходов (TSV).
TSV позволяет вертикально размещать от четырёх до восьми кристаллов NAND. Путь передачи данных сокращается, а скорость работы и энергоэффективность растут.
zNAND-T рассчитана на дата-центры, где нужно мгновенно передавать огромные массивы информации. По архитектуре она близка к концепции высокоскоростной флеш-памяти (HBF) и обеспечивает широкий канал для данных.
zNAND-I оптимизирована под высокую скорость случайного доступа (IOPS, число операций ввода-вывода в секунду). Это критично для ИИ-инференса, где системе постоянно нужны небольшие объёмы временных данных, например в системах кеширования с частыми мелкими запросами.
Решение о трёх отдельных линейках продиктовано запросами крупных технологических компаний на кастомизацию оборудования. Конкурент SK hynix тоже развивает собственные семейства ИИ-памяти с разделением по типу нагрузки.