Еврокомиссия одобрила Infineon €319 млн субсидий на модернизацию завода в Филлахе при общих инвестициях около €1,1 млрд. Компания намерена первой в мире наладить массовый выпуск силовых GaN-компонентов на 300-мм пластинах.
Переход с 200-мм пластин дает примерно в 2,3 раза больше чипов на одной пластине. Infineon рассчитывает снизить себестоимость изделий и повысить эффективность оборудования.
Технологию обработки 300-мм пластин для силовой электроники на GaN компания освоила еще в 2024 году. Проект Empowering Fab предусматривает первые поставки на рынок к концу 2027 года, инвестиционная программа рассчитана до 2034 года.
Субсидия выделена в рамках European Chips Act. Infineon должна давать доступ к лабораториям и оборудованию университетам, научным учреждениям, стартапам и небольшим технологическим компаниям.
Австрия получит участие в возможной дополнительной прибыли от проекта сверх прогнозов.
По оценке Yole Group, мировой рынок силовых GaN-компонентов может достичь $3,5 млрд к 2031 году при среднегодовом росте около 35 % в 2025–2031 годах.
Среди применений — энергоснабжение ИИ-серверов, зарядные устройства, промышленные преобразователи, электромобили, робототехника и возобновляемая энергетика.