Китайские учёные представили новую структуру сегнетоэлектрической памяти на основе нитрида алюминия со скандием (AlScN), способную выдержать около 10 млрд циклов перезаписи — это в сто раз превышает предыдущий предел.
Китайские учёные представили новую структуру сегнетоэлектрической памяти на основе нитрида алюминия со скандием (AlScN), способную выдержать около 10 млрд циклов перезаписи — это в сто раз превышает предыдущий предел.