Компания Samsung Electronics на конференции Semicon Taiwan 2026 представила планы развития скоростной памяти нового поколения. Основной фокус направлен на разработку HBM5, zHBM и zNAND-O — технологий, которые изменят подход к хранению данных в ИИ-инфраструктуре.
Samsung готовится к запуску новой производственной линии на кампусе в Йонъине во второй половине 2028 года. Полный цикл обработки кремниевых пластин на этой площадке невозможен из-за её ограниченных размеров, но отдельные этапы техпроцесса здесь всё же будут реализованы.
Производители памяти уже проектируют преемников для линейки HBM. Samsung Electronics делает ставку на zHBM — по обещаниям компании, она будет в восемь раз быстрее HBM5, а плотность хранения данных вырастет более чем в 10 раз.
