SanDisk продолжает разработку 3D Matrix Memory — перспективной альтернативы DRAM. На мероприятии Investor Day 2026 технический директор Алпер Илкбахар сообщил, что чипы впервые изготовлены на 300-мм пластинах и упакованы для испытаний. Удалось продемонстрировать работоспособность областей объёмом несколько гигабит, производительность близка к целевым показателям.
Технология исследуется с 2017 года. Точный тип ячейки не раскрывается: эксперты предполагают PCM (как в 3D XPoint) или ReRAM. SanDisk избегает комментариев. Цель — вдвое снизить стоимость бита по сравнению с DRAM и обеспечить большую ёмкость.
Илкбахар подчеркнул, что до выхода на рынок ещё далеко. Конкретных сроков нет, ранее обещали чипы 32–64 Гбит, но без дат. Прототипы создаются на стандартном оборудовании совместно с бельгийским центром IMEC, используется стековая компоновка в несколько уровней.
Разработка ведётся девять лет. Компания не спешит с запуском, считая, что время ещё не пришло.