Институт микроэлектроники Китайской академии наук (IMECAS) разработал предварительный техпроцесс для изготовления GAA-транзисторов (gate-all-around) с использованием только доступного DUV-оборудования, минуя EUV-литографию. Об этом сообщила South China Morning Post со ссылкой на главного инженера института Е Тяньчуня.
Разработка связана с ограничениями на поставки оборудования в Китай: ASML не продаёт китайским заказчикам EUV-установки, необходимые для эффективного выпуска передовых чипов. Часть критических слоёв теоретически можно формировать с помощью DUV, но многократная экспозиция усложняет и удорожает техпроцесс.
GAA — это не альтернатива EUV, а конструкция транзистора, где затвор окружает канал со всех сторон. Такие транзисторы уже применяются в производстве: Samsung выпускает 3-нм чипы с GAA с 2022 года, TSMC использует эту архитектуру в 2-нм техпроцессе N2.
Получить структуры класса 3 нм при помощи DUV позволяет многократное формирование рисунка на пластине. Это требует больше экспозиций, масок и операций, что усложняет производство и создаёт проблемы с точностью совмещения слоёв и выходом годных кристаллов.
В академии подчёркивают, что до массового производства далеко: перспективы прояснятся только после испытаний пластин на реальных линиях. Изготовление отдельных GAA-транзисторов не означает готовности полного техпроцесса — нужно освоить межсоединения, добиться приемлемого выхода годных и стабильности производства.
В 2025 году исследователи академии также представили твердотельный источник когерентного излучения с длиной волны 193 нм, применяемой в DUV-литографии. Это рассматривается как возможная основа для будущих литографических систем, но не заменяет промышленные сканеры ASML.
Свой путь к масштабированию чипов развивает и Huawei: в мае компания представила концепцию Tau Scaling Law — рост плотности вычислений за счёт архитектурных изменений и временного масштабирования. К 2031 году Huawei рассчитывает достичь плотности транзисторов, эквивалентной ожидаемым показателям 1,4-нм техпроцесса, без физического освоения этих норм.