Тайваньский производитель памяти Nanya вложит около $10,7 млрд (346,6 млрд TWD) в строительство фабрики Fab 5A. Запуск производства DRAM на базе EUV-литографии запланирован на вторую половину 2027 года.
На заводе будут выпускаться чипы памяти 10-нм класса: поколения 1C, 1D и 1E. Пилотное производство 1C уже началось, тогда как 1D и 1E находятся в разработке.
Мощности будут наращиваться поэтапно: 30 тыс. пластин в месяц к 2028 году, 35,9 тыс. — к 2029-му. Проектная мощность составит 45 тыс. пластин ежемесячно. Общий объём капзатрат — около $16 млрд.
Доля Nanya на мировом рынке DRAM составляет около 1,6%. На DDR5 приходится лишь ~10% выручки. Fab 5A должна существенно увеличить присутствие компании в этом сегменте.
До конца года Nanya планирует завершить квалификацию чипов LPDDR5 у заказчиков. Конкурент Winbond также анонсировал удвоение объёма выпуска DRAM в битовом исчислении.