Intel продолжает наращивать использование High-NA EUV-литографии, расширив её применение с техпроцесса 14A на нормы 18A. Для некоторых чипов Panther Lake компания уже применяет наложение нескольких слоёв кремния через экспонирование High-NA вместо стандартного Low-NA.
Intel также предлагает эту технологию внешним клиентам фаундри, поскольку конфигурация может быть выгодна и для них. Совместно с ASML компания завершила приёмочные испытания нового сканера TWINSCAN EXE:5200B — второй версии High-NA EUV сканера после TWINSCAN EXE:5000, использовавшегося для пробных запусков 14A.
Ранее Intel сообщала об обработке свыше 30 000 пластин за квартал, сократив число этапов обработки одного слоя с 40 до менее 10. Это значительно ускорило производственный цикл. Всего компания обработала уже миллион 300-мм пластин с использованием High-NA EUV-литографии.
Intel остаётся единственной компанией, активно применяющей EUV-литографию с высокой числовой апертурой в промышленном производстве. TSMC делает ставку на существующую Low-NA технологию, постепенно уменьшая техпроцесс с каждым новым поколением.
Samsung Foundry, по имеющимся данным, отложит переход на High-NA до 2030 года для 1-нм техпроцесса. Оборудование с низкой числовой апертурой вдвое дешевле передовых High-NA систем — самая современная установка ASML стоит около $400 млн.