SK hynix активно переводит производство оперативной памяти DRAM на новейший техпроцесс 1c, сообщает TechPowerUp со ссылкой на Chosun.
По доле мощностей на 1c компания пока уступает Micron (19%), но опережает Samsung: у SK hynix — 13%, у Samsung — 16%. Однако темпы наращивания производства позволяют SK hynix обогнать конкурентов уже в четвёртом квартале.
Техпроцессы DRAM отличаются от логических: производители используют варианты 10–19 нм и масштабируют их за счёт EUV-литографии. Доминирующий сейчас у SK hynix техпроцесс 1b даёт 12–13 нм с четырьмя слоями EUV, а 1c — 11–12 нм с 5–6 слоями.
На 1c компания будет выпускать HBM4E, LPDDR6 и DDR5, тогда как на 1b сейчас производятся DDR5, LPDDR5X, HBM3E и HBM4.
Динамика перехода: в Q1 2026 доля 1c составляла 10% производства, в Q2 — 13%. В Q3 ожидается рост до 24%, в Q4 — до 34%. К Q1 2027 доля 1c достигнет около 35%, а техпроцесс 1b пятого поколения займёт 33%, став самым массовым у компании.
В будущем DRAM ждёт переход на транзисторы с вертикальным затвором 4F² и 3D-стекирование — планарная структура 6F² исчерпывает возможности масштабирования. Но техпроцесс 1c останется в строю SK hynix ещё много лет.