TSMC, ранее не спешившая внедрять литографию High-NA EUV из-за высокой стоимости оборудования, присоединится к Intel и Samsung в этом направлении на рубеже 2020-2030-х годов. Также компания примет участие в переходе на новый типоразмер фотомасок.
Фотомаски определяют рисунок будущих микросхем для последующего травления кристаллов. Долгое время отрасль использовала шаблоны размером 150 мм, но теперь производители готовы перейти на 300 мм ради роста производительности и снижения издержек.
По словам техдиректора ASML Марко Питерса, переход на маски 300 мм способен увеличить пропускную способность сканеров High-NA EUV на 40% и упростить проектирование чипов. Совместные действия крупных игроков помогут снизить затраты на миграцию.
Samsung начнёт использовать High-NA EUV для выпуска памяти в 2028 году и будет сотрудничать с партнёрами по переходу на новые маски. Intel продвигает идею укрупнения фотошаблонов уже более трёх лет.
TSMC до 2030 года планирует сочетать High-NA EUV с масками старого формата 150 мм. Опытная линия для масок 300 мм заработает в 2031 году, а серийное производство на их основе начнётся не раньше 2033 года.
Samsung и TSMC перейдут к массовому применению High-NA EUV в 2028 и 2030 годах соответственно. Intel уже использует такое оборудование при выпуске процессоров Panther Lake по техпроцессу Intel 18A. ASML представила EUV-системы с низкой числовой апертурой ещё в 2019 году, прежде чем перейти к разработке High-NA версий.