Стартап Kepler Computing разработал новую архитектуру высокоскоростной памяти HBM, отказавшись от дорогой EUV-литографии. Компания заявляет, что её метод 3D-компоновки и запатентованный материал позволяют увеличить плотность элементов памяти без дорогостоящего оборудования — на уровне техпроцессов 2–3 нм.
Идея в том, чтобы удовлетворить растущий спрос на память без строительства новых заводов, а за счёт новых методов производства на уже существующих мощностях. Технология также позволяет размещать вычислительный блок ближе к памяти, снижая энергозатраты на передачу данных.
Kepler привлекла $468 млн от инвесторов, включая GlobalFoundries, Intel Capital и AMD Ventures. Минторг США готов выделить ей до $245 млн на разработку новой памяти для ИИ-систем на основе 3D и сегнетоэлектрических технологий.
Испытания проходят в Сингапуре на предприятии GlobalFoundries — партнёра и инвестора, вложившего $50 млн. За два года Kepler построила «мини-заводы», где производит чипы совместно с GlobalFoundries по 28-нм техпроцессу.
Плотность ячеек SRAM удалось повысить за счёт сегнетоэлектриков, которые позволяют считывать и записывать данные при более низком напряжении. Компания перебрала 35 вариантов композитных материалов, прежде чем нашла подходящий класс.
Переоборудование производственной линии заняло восемь месяцев вместо обычных двух лет. По оценке Kepler, дополнительные расходы будут значительно ниже $20–40 млрд, необходимых для строительства новых заводов.
Однако есть и сложности: железо в составе композита считается сложным загрязнителем для производственной линии — потребуется либо специализированное оборудование, либо полная изоляция материала.
Пока технологию испытали лишь на 2000 пластин. Первые образцы чипов HBM ожидаются в этом году, наращивание производства в Сингапуре — в следующем, а запуск в США — не раньше 2028 года.
В GlobalFoundries настроены оптимистично: фундаментальные прорывы уже совершены, осталось добиться стабильных результатов при обработке тысяч пластин и производстве миллионов компонентов.