Корейские эксперты отмечают резкое ускорение прогресса китайской полупроводниковой отрасли: путь, занимавший у конкурентов три года, в Китае проходят за год. Причины — ёмкий внутренний рынок, развитая R&D-база и активная господдержка.
Не имея доступа к передовым EUV-сканерам, китайские производители делают ставку на упаковку памяти и интеграцию разнородных компонентов вместо перехода к более тонким техпроцессам.
По слухам, CXMT уже тестирует HBM3E и планирует запустить массовое производство в следующем году. Это всего на поколение отстаёт от HBM4, которую серийно выпускают Samsung, SK hynix и Micron. Сейчас, по данным Korea JoongAng Daily, CXMT массово производит HBM3.
Если раньше отставание Китая в полупроводниках оценивалось в пять лет, то теперь по HBM-памяти разрыв сократился до трёх лет, а по другим направлениям — до одного-двух.
По данным DigiTimes, CXMT применила для HBM технологию X-Stacking, которую YMTC использует в 3D NAND. Сращивание двух кремниевых пластин сокращает путь сигналов, повышая пропускную способность и снижая энергопотребление без EUV-оборудования. Похожий подход — «складывание чипов вдвое» с вертикальными каналами связи — развивает и Huawei.
DDR5 китайские компании начали выпускать с отставанием всего в два года. В 3D NAND YMTC в прошлом году достигла 270 слоёв против 300 у корейцев, а в следующем может выйти на 400 слоёв, обогнав конкурентов.
CXMT заняла четвёртое место в мире по выручке от DRAM с долей 10%, при этом её операционная маржа (82%) превысила показатели обоих южнокорейских соперников. YMTC контролирует 14% рынка NAND и рассчитывает стать мировым лидером к концу следующего года.
После IPO CXMT привлекла почти $10 млрд на расширение мощностей. Однако с передовой продукцией не всё гладко: выход годных чипов HBM3E не превышает 25% против отраслевых 80%, что говорит о высоком браке, дороговизне и ограниченных объёмах выпуска.