Китайская компания Langdao Silex впервые публично показала прототип собственного источника излучения для EUV-литографии. По её заявлению, 90 % компонентов произведены в Китае, а большинство ключевых узлов разработано внутри компании.
Серийное производство начнётся не раньше чем через три–пять лет: нужна дальнейшая инженерная доработка. Главные сложности — наращивание мощности и стабильность работы в долгосрочной перспективе.
Маломощная установка FlintNano LPP-OXXO работает на лазерно-плазменной технологии. Заявленные характеристики:
мощность приводного лазера — 1000 Вт
частота импульсов — 1–20 кГц
эффективность преобразования энергии — более 2 %
выходная мощность EUV — более 15 Вт
яркость — 100 Вт/(мм²·ср)
непрерывная работа — более 100 часов
размер области плазмы — 60 мкм
стабильность плазмы — 3 % RMS, стабильность энергии — 5 %
Для высокомощной серии FlintMicro-LPP завершена принципиальная проверка технологии, а маломощная FlintNano-LPP находится на стадии продуктовой разработки.
Разрыв с требованиями индустрии остаётся значительным: промышленным установкам нужны источники в несколько сотен ватт, стабильно работающие длительное время.
Чтобы его преодолеть, компании нужно повысить мощность, улучшить стабильность плазмы, увеличить срок службы источника и обеспечить надёжную интеграцию систем. Также потребуются прецизионная оптика и высокоточное позиционирование пластин.
Для сравнения, установки ASML состоят из сотен тысяч компонентов от более чем 800 компаний. ASML достигла 250 Вт в 2018 году, что позволило перейти к серийному выпуску чипов с EUV. В апреле 2025 года она показала источник на 1000 Вт, но его внедрение ещё требует доработки.
Ранее сообщалось, что в Китае уже производят менее совершенные DUV-установки. Их поставки крупным местным производителям чипов ожидаются в 2026 году. EUV остаётся значительно более сложной задачей.